一种具有双电子阻挡层的深紫外发光器件及其制备方法【异议或纠错】

相关专利信息信息

• 一种UVCLED封装器件及其制备方法
• 一种P型SiC外延及其生长方法
• 一种碳化硅功率MOSFET器件的制备方法
• 一种气液相混合生长氮化镓单晶的装置
• 电路控制器

说明：
一、所有信息力求客观、真实：以上信息由全国各级政府职能部门、各行业协会（社团组织）、金融机构、主流媒体、信息主体或实名制下的广大消费者（包括交易对方、员工等）客观提供，不含有本征信平台的任何主观评价；
二、信息异议机制：欢迎大家对有异议的信息及时提出，我们将按照《绿盾全国企业征信管理办法》规定对异议进行核实、修正，确保客观、公平；
三、尊重发布者权益，永不"删贴"：对于符合国家法律、法规和本征信平台规定的每一条信息，都将客观记录于企业信用档案，参与信用分值计算，并长期保存。