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半导体结构及其形成方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-613-5577-5821
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L27/146类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:在衬底上形成初始第一基底,初始第一基底包括沿垂直于衬底表面方向排布的相邻的第一区和第二区,第二区与衬底相邻,初始第一基底包括相对的第一面和初始第二面,且初始第二面与衬底表面相接触;在初始第一基底上形成第二基底,第一区和第二基底相邻,第二基底包括相对的第三面和第四面,且第四面和第一面相接触;平坦化衬底,直至暴露出初始第一基底;采用湿法刻蚀工艺,从初始第二面减薄所述初始第一基底,直至暴露出第一区表面以形成第一基底,第一基底具有与第一面相对的第二面,且湿法刻蚀工艺对所述第二区的刻蚀速率大于对所述第一区的刻蚀速率。所述方法有利于提高形成的半导体结构的性能。
附件下载:  (原始资料备查)

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