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专利信息

一种石墨烯掺杂锗单晶及其生长工艺【异议或纠错】

档案编号： CQ-635-4451-0366
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第C30B11/00;C30B25/00;C30B28/06;C30B29/08;C30B29/02类
授权状态： 已授权
档案内容： 本申请涉及单晶生长工艺的技术领域,具体公开了一种石墨烯掺杂锗单晶及其生长工艺。石墨烯掺杂锗单晶的生长工艺,包括以下步骤：采用水平梯度冷凝法合成锗多晶,并将多晶锗进行切割；对切割后的多晶锗、坩埚、石英管、石英帽进行清洗,然后进行干燥处理；将籽晶放入坩埚底部的籽晶腔中,再将多晶锗、单晶石墨烯装入坩埚中,然后将坩埚装入石英管,抽真空,然后密封石英管；把密封的石英管放入单晶炉生长锗单晶,控制轴向的温度梯度为3-5℃/cm,径向温度梯度小于2℃。采用本申请的生长工艺生长得到的石墨烯掺杂锗单晶具有位错密度低、力学性能优良的优点。
附件下载：  (原始资料备查)

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