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专利信息

一种功率放大器件及其制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-057-7822-3666
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L25/16;H01L21/50;H01L23/64;H01L23/498;H03F3/21类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明提供一种功率放大器件及其制备方法,所述功率放大器件包括硅衬底和HBT晶体管,所述硅衬底中设置有凹槽,所述HBT晶体管固定粘结在所述凹槽中,在所述硅衬底上形成有布线结构,所述布线结构还覆盖所述HBT晶体管,所述布线结构具有无源器件,所述布线结构还将所述HBT晶体管的集电区、基区和发射区引出。本发明通过HBT晶体管集成至硅衬底上,并将无源器件(例如电阻、电容和电感)设置在硅衬底上,与现有技术相比,提高了集成度,还节省了GaAs衬底的使用面积,降低了功率放大器件的材料成本。
附件下载：  (原始资料备查)

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