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一种MEMS器件的应力测试结构及其制备方法、应力测试方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-111-7399-8721
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第B81C99/00;B81C1/00;B81B7/02;G01L5/00;G01L1/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种MEMS器件的应力测试结构及其制备方法、应力测试方法,该应力测试结构包括:基底,基底包括第一表面和与第一表面相背的第二表面;振膜,位于基底的第一表面上,振膜包括第一区域和包围第一区域的第二区域,第一区域和第二区域彼此分离,第一区域呈形变状态,第二区域搭接于基底;背板层,部分背板层悬置于振膜上方,背板层与振膜之间形成有空腔,空腔至少露出振膜的第一区域,部分背板层贯穿空腔并与振膜的第一区域的部分表面接触相连;背腔,自基底的第二表面贯穿基底并露出振膜的第一区域。基于本发明的应力测试结构和测试方法能够测量得到MEMS器件的振膜在工艺流程结束后的应力。
附件下载:  (原始资料备查)

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