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熔丝结构及其制备方法、半导体集成电路及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-121-6518-9332
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L23/525;H01L21/768类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供了一种熔丝结构及其制备方法、半导体集成电路及其制备方法。该制备方法中,可基于顶层金属层的厚度需求形成足够厚度的顶层金属层,接着对顶层金属层中位于熔丝区域内的部分进行减薄处理,以满足金属熔丝的厚度需求,如此即可利用顶层金属层同时制备形成金属熔丝,实现了工艺简化,并可节省成本。此外,由于金属熔丝是利用部分顶层金属层制备形成,使得金属熔丝直接连接在顶层金属层中,而无需再利用导电插塞对金属熔丝进行连接,从而可降低金属熔丝在电路中的连续复杂性。
附件下载:  (原始资料备查)

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