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一种半导体结构的形成方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-059-7787-8345
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/762;H01L21/02类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请涉及一种半导体结构的形成方法,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底中形成有深沟槽;使用原子层沉积工艺在所述深沟槽的底部和侧壁形成第一隔离层;使用化学气相沉积法在所述第一隔离层表面形成第二隔离层,所述第一隔离层和第二隔离层填满所述深沟槽。本申请所述的半导体结构的形成方法,20%至30%的深沟槽结构采用ALD填充,70%至80%的深沟槽结构采用CVD来填充,通过控制ALD和CVD的比例,在不影响产能和成本的情况下,满足深沟槽工艺对阶梯覆盖能力的要求。
附件下载:  (原始资料备查)

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