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适用于激光退火的SiCSBD半导体器件【异议或纠错】

档案编号: CQ-060-7208-2886
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L23/31;H01L29/872;G02B5/12类
授权状态: 已授权
档案内容: 本实用新型公开一种适用于激光退火的SiC SBD半导体器件,该SiC SBD半导体器件包括:金属层Ⅰ,设置于两SiO-2介质钝化层之间,且两端覆盖部分两SiO-2介质钝化层;在金属层Ⅰ上设置激光退火区域,在非激光退火区域的SiO-2介质钝化层及金属层Ⅰ上设置反射层。在肖特基接触的非激光退火区域设置反射层,在采用脉冲激光对肖特基接触进行退火时,非激光退火区域处的脉冲激光被反射,脉冲激光仅对激光退火区域处的金属进行退火,反射层与激光的配合使用,可实现定向区域的激光退火,极大加大了激光退火工艺的选择自由度。
附件下载:  (原始资料备查)

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