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专利信息

一种具有超晶格电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-061-7338-3241
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01S5/34;H01S5/343类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明提供一种具有超晶格电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。该激光器由下至上依次包括衬底、缓冲层、下过渡层、Al-(0.5)In-(0.5)P下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、上波导层、超晶格结构-第一上限制层、腐蚀终止层、Al-(0.5)In-(0.5)P第二上限制层、上过渡层和帽层。本发明激光器能够有效的抑制电子溢出,缓解有源区应力,提高限制层材料生长质量；同时具有较高光限制因子,提高光增益,达到了降低阈值电流,提高斜率效率的目的,从而使小功率AlGaInP红光激光器具有较低的工作电流,减少了热量的产生。
附件下载：  (原始资料备查)

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