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专利信息

一种双面基板的电通断测试方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-061-8785-8611
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L21/66类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开了一种双面基板的电通断测试方法,包括步骤1,在双面基板制备过程中,正面电镀种子层不进行刻蚀,保留正面电镀种子层；步骤2,在保留正面电镀种子层的双面基板上完成双面基板的背面工艺过程,对背面电镀种子层进行刻蚀,然后对双面基板的背面凸点进行第一次单面探针测试,测量两两背面凸点间电通断连接关系；步骤3：刻蚀正面凸点以外区域的正面电镀种子层,对双面基板的正面凸点进行第二次单面探针测试,测量两两正面凸点间电通断连接关系；步骤4：结合步骤2第一次单面探针测试结果和步骤3第二次单面探针测试结果,得到双面基板的正反表面凸点间电连接测试结果。解决硅转接基板晶圆的电通断测试问题,适于自动化量产测试。
附件下载：  (原始资料备查)

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