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专利信息

一种单芯片DAF胶带粘晶方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-151-1086-5090
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L21/67类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开了一种单芯片DAF胶带粘晶方法,属于半导体封装技术领域,通过将待粘晶的单芯片贴附在经过预处理DAF胶带上,实现单芯片与DAF胶带的贴合,然后通过传统的粘晶工艺实现芯片与载体的紧密粘接。通过本发明的实施,有效解决了单芯片无法预先贴附DAF胶带进行粘晶的问题,从而解决了单芯片粘晶工艺中容易出现的溢胶、翻胶、胶层不均、空洞等问题。本发明方法是一种使用DAF胶带进行单芯片粘晶的新思路、新方法。应用本发明方法对于单芯片的粘晶,可以将底部空洞率控制在5％以内,胶层均匀性控制在10％,溢胶范围不超过20μm,杜绝翻胶的发生。
附件下载：  (原始资料备查)

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