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一种硅通孔晶圆表面铜层的抛光方法以及基于该抛光方法的一种抛光面铜后硅通孔晶圆【异议或纠错】

档案编号: CQ-079-7897-0976
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/768;H01L23/48类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开一种硅通孔晶圆表面铜层的抛光方法以及基于该抛光方法的一种抛光面铜后硅通孔晶圆,该方法包括将光刻胶涂覆至晶圆表面,并利用光刻技术保护硅通孔上方铜层;利用湿法刻蚀的方法去除暴露的铜层;去除硅通孔上方的光刻胶,最后利用化学机械抛光工艺去除硅通孔上方的铜层。该方法极大减少了抛光液的用量,有效降低耗材成本,工艺简单,成本低,适合大规模工业生产,具有成本低、高效且可靠性高的优势。
附件下载:  (原始资料备查)

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