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一种长寿命铬版光刻掩膜版及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-069-6473-5097
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/027;H01L21/033类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种长寿命铬版光刻掩膜版及其制备方法,属于半导体光刻技术领域,本发明的基板上设置有凹槽,金属掩膜层位于凹槽的底部及侧壁上,金属掩膜层的高度小于凹槽的深度,制备方法包括:在透明基板上均匀涂覆一层负性光刻胶并进行曝光和显影处理,使用湿法刻蚀或干法刻蚀工艺在没有光刻胶覆盖区域腐蚀出深度为300~400nm的凹槽,之后在基板上沉积一层金属掩膜层,最后剥离得到与设计图案一致的光刻掩膜版。本发明将金属铬薄膜层沉积在凹槽结构内,通过凹槽对金属铬薄膜层进行保护,避免了金属铬薄膜层突出而导致容易发生硌伤等缺陷而发生漏光。
附件下载:  (原始资料备查)

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