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专利信息

具有横向载流子限制能力的介电调控隧穿VCSEL器件及其制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-076-7460-1226
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01S5/30;H01S5/20;C30B25/18;C30B29/38类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明涉及一种具有横向载流子限制能力的介电调控隧穿VCSEL器件及其制备方法,属于半导体激光器领域。沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR、N-型半导体材料层、多量子阱层、P-型电子阻挡层、P-型半导体材料层,P-型半导体材料层上方依次设置有介电隧穿结层和N-型电流限制层、电流扩展层、顶部介质DBR层和P-型欧姆电极；介电隧穿结层由P-型重掺材料层、小介电常数插入层、ITO层交叠组成。本发明在介电隧穿结层中设置小介电常数插入层,利用小介电常数插入层产生的较大的隧穿电场强度,进而促进空穴的隧穿。此外,将绝缘电流限制层改为N-型材料,从而进一步改善器件的空穴注入效率。
附件下载：  (原始资料备查)

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