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专利信息

功率晶体管【异议或纠错】

档案编号： CQ-079-0000-6176
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L29/06;H01L29/78类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明涉及一种功率晶体管。功率晶体管在横向方向上包括元胞区和终端区,功率晶体管包括：衬底；第一外延层,设置于衬底之上；多个第一体区,设置于外延层内；多个第二体区,在元胞区内,多个第二体区一一对应地设置于多个第一体区上方,多个第二体区的上表面与外延层的上表面齐平；多个栅极结构,在元胞区内,多个栅极结构设置在外延层、多个第二体区的上表面上,栅极结构包括栅极氧化层和位于栅极氧化层上的栅极多晶硅；其中,在元胞区内,在功率晶体管应用时多个第二体区中的另一部分第二体区和位于其下方的多个第一体区中的另一部分第一体区均处于浮置状态,分别形成为浮置第一体区和浮置第二体区。
附件下载：  (原始资料备查)

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