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专利信息

功率晶体管【异议或纠错】

档案编号： CQ-102-2000-7663
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L29/10;H01L29/06;H01L29/78类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明涉及一种功率晶体管。功率晶体管在横向方向上包括元胞区、过渡区和终端结构区,功率晶体管包括：衬底；第一外延层,设置于衬底之上；多个第一体区,设置于外延层中；多个第二体区,设置于外延层中,在元胞区中的多个第二体区相应地位于元胞区中的多个第一体区上方；其中,在元胞区中的多个第一体区中的部分第一体区设置了接触孔、重掺杂第一导电类型注入区和重掺杂第二导电类型注入区,从而形成沟道区域；在元胞区中的多个第一体区中的另一部分第一体区未设置接触孔、金属电极和重掺杂第一导电类型注入区,未形成沟道区域。上述两种第一体区在元胞区域交替排列。
附件下载：  (原始资料备查)

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