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一种沟槽屏蔽栅MOSFET器件及其制造方法和电子设备【异议或纠错】

档案编号: CQ-105-4623-2911
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明实施例公开了一种沟槽屏蔽栅MOSFET器件及其制造方法和电子设备,其第一导电类型外延层包括第一导电类型漏极区、第一导电类型第一外延层、第一导电类型第二外延层和第一导电类型第三外延层;元胞沟槽上部设有栅导电多晶硅,元胞沟槽中下部设有屏蔽栅导电多晶硅,栅导电多晶硅和屏蔽栅导电多晶硅之间设有绝缘氧化层;相邻元胞沟槽的侧壁上方设有第一导电类型源极区,第一导电类型源极区位于第二导电类型阱层的上部;第一导电类型第二外延层的平均电阻率小于第一导电类型第三外延层的平均电阻率。该器件通过添加第一导电类型第三外延层,有效的提高了器件对电场的调制效果,进而提高了击穿电压。
附件下载:  (原始资料备查)

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