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专利信息

一种优化渐变波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-094-8061-5573
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01S5/20;H01S5/34;H01S5/343;C23C16/02;C23C16/30类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明涉及一种优化渐变波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法,属于光电子技术领域,器件包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下过渡层、下限制层、(Al-(1-)-(x1)Ga-(x1))-(y1)In-(1-y1)P渐变下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、(Al-(1-x5)Ga-(x5))-(y3)In-(1-y3)P渐变上波导层、第一上限制层、腐蚀终止层、第二上限制层、上过渡层和帽层,通过优化渐变波导层结构设计,在AlGaInP渐变波导层中插入组分稳定(Al-(1-)-xGa-x)-yIn-(1-y)P结构,优化该层厚度设计,达到抑制电子溢出的目的,同时利用AlInP作为限制层具有较高的光限制因子,使小功率AlGaInP红光激光器具有较小的工作电压及工作电流,高温工作时更加稳定。
附件下载：  (原始资料备查)

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