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一种半导体器件及其制备方法、电子装置【异议或纠错】

档案编号: CQ-099-8580-0179
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/8249;H01L27/06类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种半导体器件及其制备方法、电子装置,该方法包括:提供衬底,衬底至少包括第一区域与第二区域;在第一区域的表面上形成第一预设厚度的第一栅介质层,在第二区域的表面上形成第二预设厚度的第二栅介质层;在第一栅介质层上形成第一栅极层,在第二栅介质层上形成第二栅极层;对第一栅介质层与第二栅介质层进行离子注入;刻蚀露出的第一栅介质层与第二栅介质层,以完全去除露出的第二栅介质层。本发明的方案通过先对第一栅介质层与第二栅介质层进行离子注入,以改变二者的表面的致密度,使得后续在刻蚀过程中的纵向刻蚀速率增大,减小了刻蚀时间,进而降低了横向的刻蚀量,避免了产生脱落与漏电等风险,提高了器件的可靠性与产品良率。
附件下载:  (原始资料备查)

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