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一种半导体器件及其制造方法、电子装置【异议或纠错】

档案编号: CQ-100-2020-1861
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/331;H01L29/739;H01L29/423类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种半导体器件及其制造方法、电子装置,该方法包括:提供半导体衬底,半导体衬底具有至少一个虚拟器件区和至少一个器件区,虚拟器件区与器件区间隔设置;在虚拟器件区形成至少两个第一浅沟槽,在器件区形成至少两个第二深沟槽,其中,所述第一浅沟槽和所述第二深沟槽的顶部区域呈碗状,第一浅沟槽的宽度大于第二深沟槽的宽度,第一浅沟槽的深度小于第二深沟槽的深度;形成覆盖半导体衬底的栅极介电层,第一浅沟槽和第二深沟槽的底部和侧壁上均形成有栅极介电层;在栅极介电层上形成栅极材料层;回刻蚀栅极材料层,以在第二深沟槽中形成栅极,在第一浅沟槽的内侧壁上形成虚拟栅极。该方法降低了器件内部的寄生电容,减少了器件的开关损耗和功耗。
附件下载:  (原始资料备查)

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