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专利信息

MEMS器件及其制作方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-100-8455-2367
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第B81C1/00;B81B7/02类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明提供一种MEMS器件及其制作方法。所述MEMS器件的制作方法包括：提供衬底；在衬底内形成埋层,埋层与衬底的顶面之间具有预定距离,以埋层上方的衬底作为振膜；从衬底的背面一侧刻蚀衬底并停止在埋层表面,形成位于衬底中的背腔；以及通过背腔至少去除部分埋层形成第一空腔,第一空腔释放振膜靠近背腔的表面。如此振膜和衬底为一体式结构,可以降低振膜分层的概率,提高MEMS器件的可靠性且可以提高MEMS器件的灵敏度。所述MEMS器件的衬底中具有第一空腔以及背腔,第一空腔位于衬底内部,背腔位于第一空腔靠近衬底背面的一侧且与第一空腔贯通,衬底顶部的部分跨越在第一空腔上方,以衬底顶部的跨越在第一空腔上方的部分作为MEMS器件的振膜。
附件下载：  (原始资料备查)

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