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半导体器件的形成方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-105-4371-2224
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/3065类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种半导体器件的形成方法,包括:提供初始化结构,使电感耦合等离子体装置分别输出第一功率、第二功率和第三功率,以在光刻胶图案的侧壁、光刻胶图案的顶部、光刻胶图案之间的待刻蚀层上形成保护层;然后去除光刻胶图案的顶部、以及光刻胶图案之间的掩膜材料层上的保护层,以在光刻胶图案的两侧形成侧墙;并以侧墙为掩膜去除侧墙之间的部分掩膜材料层;重复依次输出第一功率、第二功率和第三功率,形成目标结构。采用上述方案,不会出现因工艺窗口较小而造成的最终形成的目标结构偏离预设的位置或者小于预设的尺寸的情况;且输出三种功率多次刻蚀能够避免目标结构厚度不均匀的情况。
附件下载:  (原始资料备查)

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