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专利信息

一种实现基侧模激射的半导体激光器及其制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-118-6447-9149
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01S5/22;H01S5/12;H01S5/20类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明涉及一种实现基侧模激射的半导体激光器及其制备方法,该半导体激光器包括包括自下到上依次设置的N面电极、衬底、缓冲层、N型限制层、N型波导层、有源区、P型波导层和P型限制层,P型限制层包括本体层和由本体层中间条形区域凸出形成的脊条,脊条上依次设置有接触层和P面电极；P型限制层中脊条的两侧设置有纵向折射率型布拉格光栅,纵向折射率型布拉格光栅为高低间隔分布的周期性结构光栅。本发明通过在半导体激光器侧向采用布拉格光栅来限制光场模式,可实现基模与高阶模之间较大的泄露损耗,高阶模无法形成有效震荡,可在大条宽、大电流下实现基侧模激射,在10μm条宽、2A电流下实现基侧模激射。
附件下载：  (原始资料备查)

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