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专利信息

一种带TSV通孔的芯片结构和制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-122-5453-1472
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L23/48;H01L23/24;H01L23/60;H01L21/768类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开了一种带TSV通孔的芯片结构和制备方法,结构包括密闭环、芯片内部电路、缓冲区和TSV通孔；芯片内部电路设置在芯片表面上,密闭环环绕芯片内部电路设置在芯片表面上,缓冲区设置在密闭环和芯片内部电路之间；TSV通孔设置在缓冲区上。方法包括以下过程,在芯片上表面沉积SiO-2层；在密闭环和芯片内部电路之间的缓冲区上进行TSV导电盲孔的嵌入；在芯片上制备正面金属布线层；在正面金属布线层上制备正面微凸点；将芯片正面与载片临时键合在一起；将芯片背面硅衬底进行减薄,露出TSV盲孔,对TSV盲孔底部进行包裹；抛光露出TSV导电盲孔形成TSV孔；进行解键合去除载片,切割划片形成带TSV通孔的芯片,在芯片上实现垂直TSV导电通道。
附件下载：  (原始资料备查)

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