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专利信息

一种可实现单芯片发光的全金属工艺巴条制作方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-152-2151-7872
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01S5/02;H01S5/00;H01S5/22;H01S5/40类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明涉及半导体激光器技术领域,且公开了一种可实现单芯片发光的全金属工艺巴条制作方法,通过对光电隔离槽的设计使其可以阻断P面金属,将整个巴条P面电极分解成多个以单芯片为单位的分解P面电极,从而改变注入电流作用电极面,为下一步封装提供了有效参考。该可实现单芯片发光的全金属工艺巴条制作方法,采用全金属工艺,避免了传统负胶剥离方法制备P面金属电极,提高了生产效率,同时减少了因剥离而产生的负胶残留、试剂残留、金属边残留等外延片表面异常,提高了生产良率,有效减少了因光电参数不对档而不合格的巴条,减少了因剥离工艺导致的表面异常外延片,有效降低了生产成本,人力成本。
附件下载：  (原始资料备查)

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