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SOI芯片的晶圆级封装方法、系统及存储介质【异议或纠错】

档案编号: CQ-260-7546-7669
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/48;H01L23/498;H01L23/31类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请涉及一种SOI芯片的晶圆级封装方法、系统及存储介质,方法包括:在SOI芯片上涂覆PI胶;根据预设的温升趋势对SOI芯片进行加热以固化PI胶并形成PI保护层,所述预设的温升趋势的最大峰值温度小于所述PI胶的半完全固化温度,且所述预设的温升趋势的持续时间大于或等于PI胶的固化时间;对PI保护层进行光刻以及显影以暴露所述SOI芯片上的焊盘;于溅射腔中对SOI芯片的表面进行溅射以形成种子层;对种子层进行光刻以形成与焊盘连接的电镀种子层;对电镀种子层进行电镀以形成金属柱;其中,在对SOI芯片的表面进行溅射之前,在溅射腔中预溅射若干数量的硅基假片。本申请改良了光刻工艺,减小高温对SOI制程的晶圆在固化PI胶的过程中所造成的损伤。
附件下载:  (原始资料备查)

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